Квадратная Высокая чистота одинарная кристальная Кремниевая

Sio2 перекись водорода 5 мм x 5 мм 300 нм Sio2 перекись водорода 10 мм x 10 мм 300 нм Sio2 перекись водорода 10 мм x 20 мм 300 нм Sio2 перекись водорода 15 мм x 15 мм 300 нм Sio2 перекись водорода 20 мм x 20 мм 300 нм       Монокристаллическая Кремниевая Пластина   Один кристалл кремния является кристаллом с существенно полной структурой решетки. Различные направления имеют различные свойства и являются хорошим полупроводниковым материалом. Требования к чистоте должны достигать 99.9999% или даже выше 99.9999999%. Используется при производстве полупроводниковых устройств, солнечных элементов и т. д. изготовлен из высокочистого поликремния в монокристаллической печи.   Физические свойства Состояние материи: твердое Температура плавления: 1687K (1414 ℃) Температура кипения: 3173K (2900 ° C) Молярный объем: 12,06 × 10-6 м3/моль Нагревание тепла: 384.22kJ / mol